Stratistics MRCによると、世界のメモリデバイス市場は2023年に1,705億1,000万ドルを占め、2030年には5,087億1,000万ドルに達すると予測されている。コンピュータ・メモリなどのメモリ・デバイスは、デジタル・データの保存に使用されるデジタル電子半導体デバイスである。データは多くの場合、シリコン集積回路メモリー・チップ上の金属酸化膜半導体（MOS）メモリー・セルに保存される。砂から採掘されることが多いシリコンは、こうした集積回路の出発点である。エンジニア、冶金学者、化学者、物理学者のすべてが、シリコンをメモリチップに変換するプロセスに関与している。メモリはファブとして知られる巨大な施設で製造され、そこにはいくつかのクリーンルーム条件が組み込まれている。電気がなくても、データや情報が失われたり削除されたりすることはない。わずかな電力消費で大量のデータや情報を保存することができる。
新興国の大半は、デジタルへの認識とデジタル化に注力している。その一環として、多くの国がモノのインターネット（IoT）技術を積極的に大規模に導入している。スマートでリンクされたデバイス・システムは、日常生活の自動化を促進するため、IoTプロジェクトを開発する上で重要な側面となっている。情報を保存し、データを入出力するために、ソリューションには大量の半導体メモリが必要となる。世界市場は、新興経済諸国におけるこれらの技術の急速な採用によって牽引されるだろう。
半導体メモリー・デバイスは急速に普及している。しかし、メモリー・デバイス製造装置の設立に必要な初期投資は高すぎる。ウェハー、MOSFET、トランジスター、冷却システムは、これらのデバイスに使用される高価な部品のひとつである。これは最終製品の販売価格に直接影響する。さらに、これらのメモリー・デバイスの製造設備の設置には時間がかかり、これが市場の成長を妨げている。
新興国の大部分は、デジタルリテラシーを高め、経済をデジタル化することに多大な努力を払っている。メモリー・デバイス製造におけるデジタル化は、業務効率を高め、自動化を可能にする。エレクトロニクス分野での急速なデジタル化と自動化、およびスマートフォン、ウェアラブル、電子機器などの技術的に洗練された機器でのメモリベースの機能の使用が、市場拡大を促進している。
メモリー・ストレージ・デバイスや半導体メーカーは、材料の大半を中国から調達しているため、中国企業に大きく依存している。同国はまず流行病で壊滅的な打撃を受け、現地市場に制限をかけ、半導体のサプライチェーンに問題を引き起こした。パンデミックの影響は市場に大きな影響を及ぼし、その結果、原材料資源が不足することになった。この側面が市場の拡大を妨げている。
世界的なCOVID-19の流行は、2020年前半の市場調査のサプライチェーンと製造に大きな影響を与えた。これは世界の経済活動に悪影響を及ぼした。各国におけるCOVID-19事例の増加は市場成長に影響を与えた。突然のロックダウン制限の設置により、いくつかの製造装置の操業停止を余儀なくされた。さらに、シリコンのような原料供給チェーンが様々な国で中断されている。さらに、多くの政府機関や重要な企業がCOVID-19の影響に対処するための政策や計画を策定しており、予測期間を通じて市場の成長を促進することになるでしょう。
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（SRAM）分野は、有利な成長を遂げると推定される。SRAMはDRAMよりもかなり速い速度で動作する。SRAMは消費電力が少なく、速度に敏感なキャッシングに使用される。SRAMの内容はリフレッシュする必要がない。SRAMはDRAMよりも耐放射線性が高い。このセグメントの成長は、低消費電力、キャッシュメモリ、効率性によって後押しされている。
予測期間中、CAGRが最も速く成長すると予測されるのはコンシューマーエレクトロニクス分野である。メモリーカードは、一般的にフラッシュメモリーを使用してデジタル情報を保存する電子データ記憶装置である。デジタル・ポータブル電子機器によく見られる。突出したUSBフラッシュドライブではなく、カードをソケットに挿入することで、こうした機器にメモリを追加することができる。スマートフォンやデジタルカメラの使用が増加していることが、このセグメントの上昇を後押ししている。
アジア太平洋地域は、AIとモノのインターネットの導入が増加しているため、予測期間中に最大の市場シェアを占めると予測されている。主要企業も様々なビジネスアプローチを用いており、これが同地域市場の拡大に寄与している。最も売上が多い国は中国である。中国は世界で最も近代的な製造施設のいくつかを特徴としている。アジア市場は、パソコンと産業の両方で最新技術が使用されているため、予測期間中にかなりの成長が見込まれている。
北米は、急速に変化する技術により、予測期間中のCAGRが最も高くなると予測されている。同国では、ビジネス全体にわたって大量のデータが作成されているため、より効率的な処理ソリューションに対する需要が生じている。モバイル機器や低消費電力機器、ハイエンドのデータセンターや大規模なオンチップ・キャッシュの導入に伴い、不揮発性で高密度、低エネルギー消費のメモリという新たな最優先要件が出現した。米国はメモリー半導体製造技術、特にDRAMと3D-NANDで競争力を回復した。データセンター需要の高まりが、同地域のメモリー部品需要を押し上げている。
市場の主要プレーヤー
メモリー・デバイス市場の主なプレーヤーには、IBM Corporation、Intel Corporation、Samsung Electronics Co. Ltd.、Cypress Semiconductor Corporation、Micron Technology Inc.、Kioxia Corporation、SK Hynix Inc.、Nvidia Corporation、ローム株式会社、Maxim Integrated Products Inc.、STMicroelectronics NV、富士通、Broadcom Inc.、東芝、Macronix International Co Limited、台湾セミコンダクター社、ソニー、LAM Research、Texas Instruments、Silicon Catalystなどである。
主な進展
2022年3月、メモリ・ソリューション・プロバイダーであるKioxia Corporationは、独自の3DフラッシュメモリBiCSFLASHTMの製造拡大の可能性を視野に入れ、日本の北上工場で先進的な新製造設備の建設を開始すると発表した。この設備は2022年4月に着工し、2023年に完成する予定である。
2021年12月、マイクロン・テクノロジーは米国アトランタのミッドタウンに新たなメモリー設計センターを建設する計画を発表し、米国南東部への進出を拡大する。マイクロンは、ジョージア工科大学、エモリー大学、スペルマンカレッジ・モアハウスカレッジ、ジョージア大学など、この地域の多くの機関と強力なパートナーシップを確立することを目指している。
2021年7月、先進プロセッシング・ユニットとメモリー・ストレージ・システムの世界的サプライヤーであるインテル・コーポレーションは、スマートフォン向けプロセッサーのサプライヤーであるメディアテックと提携した。この提携により、両社は半導体とメモリー・ストレージ・デバイスを製造するファウンドリーを共有できるようになる。
2019年8月、サムスンは新しい回路設計技術を用いた100層の活性層を持つ第6世代V-NANDメモリーを発表した。サムスンの前世代のV-NAND製品と比較すると、レイテンシが10％低く、消費電力が15％低いのが特徴だ。また、このV-NANDは従来製品よりも消費電力が低いことも特徴である。
2019年7月、富士通セミコンダクターは、量産品として世界最大密度とされる8Mbit ReRAM MB85AS8MTのリリースを発表した。 ウェアラブル機器に適したこのReRAM製品は、パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同開発された。Ltd.と共同開発したものです。
対象となる種類
– スタティック・ランダム・アクセス・メモリー（SRAM）
– 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）
– ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）
– リードオンリーメモリ（ROM）
– 消去可能リードオンリーメモリ（EROM）
– フラッシュ読み出し専用メモリ（ROM）
– NORフラッシュ
– NANDフラッシュ
– その他のタイプ
対象アプリケーション
– パソコン
– コンシューマー製品
– データセンター
– ノートパソコン
– タブレット
– スマートフォン
– その他のアプリケーション
対象エンドユーザー
– コンシューマー・エレクトロニクス
– 自動車
– 情報技術
– 航空宇宙
– ヘルスケア
– 製造業
– エネルギー＆ユーティリティ
– 石油・ガス
– 電気通信
– 防衛
– その他のエンドユーザー
対象地域
– 北米
米国
カナダ
メキシコ
– ヨーロッパ
o ドイツ
イギリス
o イタリア
o フランス
o スペイン
o その他のヨーロッパ
– アジア太平洋
o 日本
o 中国
o インド
o オーストラリア
o ニュージーランド
o 韓国
o その他のアジア太平洋地域
– 南アメリカ
o アルゼンチン
o ブラジル
o チリ
o その他の南米諸国
– 中東・アフリカ
o サウジアラビア
o アラブ首長国連邦
o カタール
o 南アフリカ
o その他の中東・アフリカ
【目次】
1 エグゼクティブ・サマリー
2 序文
2.1 概要
2.2 ステークホルダー
2.3 調査範囲
2.4 調査方法
2.4.1 データマイニング
2.4.2 データ分析
2.4.3 データの検証
2.4.4 リサーチアプローチ
2.5 リサーチソース
2.5.1 一次調査ソース
2.5.2 セカンダリーリサーチソース
2.5.3 前提条件
3 市場動向分析
3.1 はじめに
3.2 推進要因
3.3 抑制要因
3.4 機会
3.5 脅威
3.6 アプリケーション分析
3.7 エンドユーザー分析
3.8 新興市場
3.9 コビッド19の影響
4 ポーターズファイブフォース分析
4.1 供給者の交渉力
4.2 買い手の交渉力
4.3 代替品の脅威
4.4 新規参入の脅威
4.5 競争上のライバル関係
5 メモリデバイスの世界市場、タイプ別
5.1 はじめに
5.2 スタティック・ランダム・アクセス・メモリー（SRAM）
5.3 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）
5.4 動的ランダムアクセスメモリ（DRAM）
5.5 読み取り専用メモリー（ROM）
5.6 消去可能読み出し専用メモリー（EROM）
5.7 フラッシュ・リード・オンリー・メモリー（ROM）
5.8 NORフラッシュ
5.9 NANDフラッシュ
5.10 その他のタイプ
6 メモリデバイスの世界市場、用途別
6.1 はじめに
6.2 パソコン
6.3 一般消費者向け製品
6.4 データセンター
6.5 ノートパソコン
6.6 タブレット
6.7 スマートフォン
6.8 その他の用途
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