IGBTとスーパージャンクションMOSFETの世界市場は、2021年に111億ドル、2022年から2031年にかけて年平均成長率11.4％で成長し、2031年には331億ドルに達すると予測される
アライドマーケットリサーチの半導体・エレクトロニクス担当リードアナリスト、Himanshu Jangraによると、IGBTとスーパージャンクションMOSFET市場は、2022年から2031年の予測期間中に著しい成長を見せると予想されています。当レポートでは、市場規模、動向、主要な市場プレイヤー、販売分析、主要な推進要因、主要な投資ポケットについて徹底検証しています。IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場については、市場の定義や範囲とともに、その概要も記載しています。電気自動車の需要の増加と高出力動作デバイスのニーズの高まりが、自動車や家電分野でのIGBTトランジスタと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの成長を大きく後押ししています。さらに、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場の量的・質的分析、ペインポイントの内訳、バリューチェーン分析、主要な規制についても記載しています。
IGBTは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとして一般的に知られており、電気自動車や家電製品など、さまざまな電子機器やアプリケーションで使用されるように設計された絶縁ゲート端子を持つバイポーラトランジスタである。さらにIGBTは、MOS構造の制御入力と出力スイッチとなるバイポーラパワートランジスタを1つのハードウェアに統合しています。IGBTとスーパージャンクションMOSFETは、高電圧、大電流のアプリケーションに適しています。
MOSFET（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）は、電圧の切り替えや増幅を行う回路に使用される電子部品です。さらに、Si-MOSFETは、その製造工程によってプレーナーMOSFETとスーパージャンクションMOSFETに分類することができます。簡単に言えば、平面構造の限界を克服するためにパワートランジスタの分野で生まれたのがスーパージャンクション構造である。
COVID-19の発生は、サプライチェーンで活動する主要プレーヤーに大きな影響を与えるため、2020年のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFETソリューションの成長に中程度の影響を与えています。しかし、主要なセクターでより高いエネルギー効率への注目が高まっていることは、COVID-19の流行期に市場成長を促進する主要な要因の1つです。
IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの世界市場は、電気機器や機械への依存度の増加により、予測期間中に顕著な成長を遂げると予想されます。また、高電圧動作デバイスのニーズが高まっており、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの市場を大きく牽引しています。さらに、省電力を重視する傾向が強まり、プロセスの標準化によって製造業の未来が形作られると予測されています。
しかし、限られた運用と高い全体コストは、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場の成長を抑制する主要因の1つです。さらに、HVDCやスマートグリッドを確立するための政府のイニシアティブの高まりは、予測期間中にIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場を拡大する有利な機会を提供すると予測されます。
タイプ別に見ると、市場はIGBT（ディスクリートIGBTとIGBTモジュール）とスーパージャンクションMOSFETに分けられます。2021年には、IGBTセグメントが売上高で市場を支配し、予測期間中も同じ傾向が続くと予想されます。しかし、スーパージャンクションMOSFETセグメントは、予測期間2022年から2031年にかけて、市場の急成長セグメントとして浮上すると予想されます。
アプリケーション別では、IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場概要は、エネルギー＆パワー、家電、インバータ＆UPS、電気自動車、産業システム、その他に分類されます。2021年は産業システム分野が売上高で市場を支配し、予測期間中も市場を支配することが予想されます。
地域別では、北米（米国、カナダ、メキシコ）、欧州（英国、ドイツ、フランス、その他の欧州地域）、アジア太平洋（中国、インド、日本、韓国、その他のアジア太平洋地域）、LAMEA（中南米、中東、アフリカ）でIGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場動向を分析しています。アジア太平洋地域（特に中国）は、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET産業において重要な参加者であることに変わりはありません。アジア太平洋地域の主要な組織や政府機関は、強化されたエレクトロニクス・ソリューションを開発するためにリソースを大幅に投入しており、アジア太平洋地域のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET産業の成長を牽引しています。
競合分析
本レポートで提供されている世界のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの主要メーカーの競争分析およびプロファイルは、ABB Ltd., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics, Toshiba Corporation, Fuji Electric Co. Ltd.、三菱電機株式会社、ルネサス エレクトロニクス株式会社、NXPセミコンダクターズ株式会社、Semikron International GmbH、およびIXYS Corporationが含まれます。
国別では、米国が北米地域のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場で主要なシェアを獲得し、2022-2031年の予測期間中に9.2%の高いCAGRで成長すると予想されます。米国はIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場で圧倒的な地位を占めており、これは自動化および家電ソリューションを強化するための優良ベンダーによる投資の増加によるものです。
欧州では、2021年に英国がIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場を収益面で支配し、予測期間中も同じ傾向が続くと予想されます。さらに、ドイツは、産業用IoTの著しい発展により、欧州のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFETにおいて、CAGR 12.3%の急成長国として浮上すると予想されます。
アジア太平洋地域では、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場を押し上げる次世代オートメーションソリューションへの主要企業による投資の大幅な増加により、中国がファクトリーオートメーションの重要な市場として浮上すると予想されます。しかし、アジア太平洋地域のIGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場では、日本が支配的な国として浮上することが予想されます。
LAMEAでは、ABB Ltd、STマイクロエレクトロニクス、ルネサスエレクトロニクスなどの主要ベンダーがラテンアメリカでIGBTとスーパージャンクションMOSFETに大きく投資していることから、ラテンアメリカが2021年にIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場で大きなシェアを獲得した。さらに、中南米地域は2022年から2031年にかけて11.0％の高いCAGRで成長すると予想されています。
省電力重視の高まりにより、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの市場規模は、予測期間中に大きく拡大すると予想されます。また、電気機器や機械への依存度が高まっていることも、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの市場規模を大きく押し上げる要因となっています。さらに、高電圧動作デバイスへのニーズの高まりは、IGBTおよびスーパージャンクションMOSFETの市場予測における重要な成長要因として作用しています。しかし、操作の制限やコスト高が早期導入の障壁となっており、市場の成長を妨げています。一方、HVDCやスマートグリッドを構築するための政府の取り組みが活発化していることから、オートメーション＆コントロール市場は予測期間中に潜在的な成長機会を提供すると期待されています。
IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場分析は、既存ベンダーの強い存在感により、非常に競争が激しいです。豊富な技術力と資金力を持つIGBTおよびスーパージャンクションMOSFETのベンダーは、市場の需要に応えることができるため、競合他社に対して競争優位に立つことが期待されます。この市場の競争環境は、技術革新、製品の拡張、主要ベンダーが採用するさまざまな戦略の増加により、激化すると予想される。
インフィニオン・テクノロジーズAG、富士電機、三菱電機、日立製作所、日立製作所 IGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場では、Infineon Technologies AG、富士電機株式会社、三菱電機株式会社、Semikron International GmbH、株式会社東芝が上位5社として主要シェアを占めています。市場の上位企業は、IGBTおよび超接合MOSFET市場における足場を拡大するために、製品の発売、パートナーシップ、多角化、製品のアップグレード、製品開発など、さまざまな戦略を採っています。
2021年9月、Infineon Technologies AGは、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載したEconoDUAL 3ポートフォリオの電流定格を発表しました。300Aから900Aまでの幅広い電流クラスにより、このポートフォリオはインバータ設計者に高い柔軟性を提供すると同時に、電力密度と性能を向上させます。
2022年10月、インフィニオンテクノロジーズAGはハンガリーのチェグレドに工場を開設しました。この工場は、世界のCO2収支改善の鍵となる自動車の電動化を推進するためのハイパワー半導体モジュールの組み立てとテストに特化しています。
東芝は2021年3月、TOLL（TOリードレス）パッケージに収納されたDTMOSVIシリーズの650V超接合パワーMOSFET「TK065U65Z」「TK090U65Z」「TK110U65Z」「TK155U65Z」「TK190U65Z」を発売。TOLLは、通常のD2PAKパッケージと比較して、約27％の面積の縮小を実現した表面実装型パッケージです。また、4ピンタイプのパッケージで、ゲート駆動用の信号源端子をケルビン接続することが可能です。これにより、パッケージ内のソース線のインダクタンスによる影響を低減し、MOSFETの高速スイッチング性能を引き出しています。
当社は、2020年3月にDTMOSVIシリーズの650V超接合NchパワーMOSFETとして、データセンターなどの産業機器のスイッチング電源や太陽光発電のパワーコンディショナ向けに「TK110N65Z」「TK110Z65Z」「TK110A65Z」「TK125V65Z」「TK155A65Z」「TK170V65Z」「TK190A65Z」「TK210V65Z」8製品を発売、パッケージやオン抵抗などの面でラインアップ拡充に取り組み、この度「TMOSVI」の販売を開始しました。DTMOSVIシリーズ」は、メリットである「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷」の値を約40％低減しています。
2022年12月、三菱電機株式会社は、家電製品のインバータシステム向けに定格電流30Aの超高電圧を実現したパワー半導体モジュール「SLIMDIP-Z」の新製品を発売しました。
2022年1月、富士電機株式会社は、パワー半導体生産拠点の一つである富士電機津軽半導体に、SiCパワー半導体の増産を目的とした設備投資を行うことを決定したと発表しました。2024年度中に量産開始予定
ステークホルダーにとっての主なメリット
当レポートでは、2021年から2031年までのIGBTとスーパージャンクションMOSFET市場分析の市場セグメント、現在のトレンド、推定値、ダイナミクスを定量的に分析し、優勢なIGBTとスーパージャンクションMOSFETの市場機会を特定します。
市場調査は、主要な推進要因、阻害要因、および機会に関連する情報とともに提供されます。
ポーターの5つの力分析では、利害関係者が利益重視のビジネス決定を行い、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるよう、バイヤーとサプライヤーの力関係を明らかにしています。
IGBTとスーパージャンクションモセットの市場細分化に関する詳細な分析は、市場機会を決定するのに役立ちます。
各地域の主要国は、世界市場に対する収益貢献度に応じてマッピングされています。
市場プレイヤーのポジショニングは、ベンチマークを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。
本レポートでは、地域および世界のIGBTおよびスーパージャンクションモスの市場動向、主要プレーヤー、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略の分析が含まれています。
【目次】
第1章：はじめに
1.1.レポートの説明
1.2.主な市場セグメント
1.3.ステークホルダーの主なメリット
1.4.リサーチメソドロジー
1.4.1.二次調査
1.4.2.一次調査
1.4.3.アナリストのツールやモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1.調査結果のポイント
2.2.CXOの視点
第3章：市場の概要
3.1.市場の定義と範囲
3.2.主な調査結果
3.2.1.トップ・インベストメント・ポケット
3.3.ポーターの5つの力分析
3.4.マーケットダイナミクス
3.4.1.Drivers
3.4.1.1. 電気機器・機械への依存度が高まる
3.4.1.2. 省電力を重視する
3.4.1.3. 高電圧動作デバイスの必要性の拡大
3.4.2.制約事項
3.4.2.1. 操作の制限と高い総合コスト
3.4.3.Opportunities
3.4.3.1. HVDCやスマートグリッドの確立に向けた政府の取り組みが活発化
3.5.COVID-19 市場への影響度分析
第4章：IGBTとスーパージャンクションモセットの市場：タイプ別
4.1 概要
4.1.1 市場規模および予測
4.2. IGBT
4.2.1 主要な市場動向、成長要因、機会
4.2.2 地域別市場規模・予測
4.2.3 国別の市場シェア分析
4.2.4 IGBT IGBTとSuper Junction MOSFETのIGBT別市場
4.2.4.1 ディスクリートIGBTの地域別市場規模・予測
4.2.4.2 ディスクリートIGBTの国別市場規模・予測
4.2.4.3 IGBTモジュールの地域別市場規模・予測
4.2.4.4 IGBTモジュールの国別市場規模・予測
4.3. スーパージャンクションMOSFET
4.3.1 主要な市場動向、成長要因、機会
4.3.2 地域別市場規模・予測
4.3.3 国別の市場シェア分析
第5章：IGBTとスーパージャンクションモセットの市場（アプリケーション別
5.1 概要
5.1.1 市場規模および予測
5.2. エネルギーと電力
5.2.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.2.2 地域別市場規模・予測
5.2.3 国別の市場シェア分析
5.3. コンシューマーエレクトロニクス
5.3.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.3.2 地域別市場規模・予測
5.3.3 国別の市場シェア分析
5.4. インバーターとUPS
5.4.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.4.2 地域別市場規模・予測
5.4.3 国別の市場シェア分析
5.5. 電気自動車
5.5.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.5.2 地域別市場規模・予測
5.5.3 国別の市場シェア分析
5.6. 産業用システム
5.6.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.6.2 地域別市場規模・予測
5.6.3 国別の市場シェア分析
5.7. その他
5.7.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.7.2 地域別市場規模・予測
5.7.3 国別の市場シェア分析
…
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