市場概要
高電子移動度トランジスタの世界市場規模は2022年に56億米ドルと推定され、2023年から2030年にかけて年平均成長率（CAGR）7.8％で拡大すると予測されている。高電子移動度トランジスタ(HEMT)技術は、優れた性能特性を提供するため、高周波および高出力アプリケーションに最適な選択肢となる。HEMTは優れた電子移動度を示すため、従来の電界効果トランジスタ（FET）と比較して、スイッチング速度の高速化と消費電力の低減が可能になる。このような性能の向上は、効率的な高周波デバイスの必要性が最も高い電気通信や航空宇宙分野で特に求められています。5Gネットワークなどの高周波通信技術の進歩は、HEMTに対する世界的な需要を後押ししています。
HEMTは、ノイズを最小限に抑え、高い利得で高周波信号を処理する卓越した能力により、5G時代に不可欠な部品として登場しました。このため、高度なレーダーシステム、衛星技術、5Gインフラにとって不可欠な存在となっており、市場の拡大に大きく寄与している。さらに、産業分野、特に高周波とハイパワーの電子部品に対するHEMTの需要の高まりが、市場拡大の主要な推進力として作用している。リン化インジウム（InP）や窒化ガリウム（GaN）などの先端半導体材料の展開が、HEMTに対する強い需要を生み出している。これらの材料は優れた電子移動度と熱特性を可能にし、HEMT製造に最適な材料となっている。
さらに、この市場は、いくつかの産業における多様な製品用途を通じて成長を経験している。高周波動作、低ノイズ特性、高ゲインに長けたHEMTは、特に自律走行車や高度なレーダーシステムなどの技術に非常に有用です。大手企業による多額の投資と継続的な研究開発努力が、技術革新を推進し、HEMTの用途を広げています。こうした投資は、HEMTの性能と効率を高める上で極めて重要な役割を果たし、市場拡大の根本的な原動力となっている。さらに、高速スイッチング・アプリケーションにおける HEMT の需要の高まりを受けて、主要企業による製品の発売が急増しています。
さらに、HEMTは消費電力を抑えながらより高い周波数で動作できるため、さまざまな産業で進行中の持続可能性とカーボンフットプリント削減の取り組みに合致している。市場は成長態勢にあるものの、一定の課題にも直面している。重要な課題の 1 つは、HEMT デバイスの生産と開発における標準化技術の必要性にあります。もう 1 つは、高周波と大電力の環境で動作する HEMT です。放熱が問題となり、効率的な熱管理ソリューションが必要となります。さらに、代替半導体技術との競争や、低コストの選択肢があることも、市場拡大の課題となっている。
民生用電子機器セグメントが市場を支配し、2022年の収益シェアは28.0%を超えた。この高い需要の背景には、より小型で効率的な高性能電子機器に対するニーズの高まりがある。HEMTは、低消費電力、高速動作、優れた高周波性能の斬新な融合を提供するため、この変革をリードしている。このため、タブレット、スマートフォン、ウェアラブル機器、無線通信機器など、さまざまな民生用電子機器への組み込みに非常に適している。消費者がより高速で信頼性が高く、バッテリー寿命が延びる高性能なデバイスを求め続ける中、HEMTは、こうした嗜好の変化に対応する最先端の電力効率に優れたエレクトロニクスの開発を可能にすることでソリューションを提供します。
航空宇宙・防衛産業の技術進歩においてHEMTが果たす重要な役割により、航空宇宙・防衛分野は2023年から2030年にかけて最も速いCAGRを記録すると予想される。HEMTは、高周波や大電力の動作を効率的に管理するなどの優れた機能を備えているため、この分野では不可欠な資産となっています。これらのHEMTは、最先端のレーダー・システム、高度な電子戦システム、高度な通信機器など、重要なアプリケーションの開発に不可欠な部品として役立っています。
窒化ガリウム（GaN）セグメントは2022年に市場を支配し、47.0%以上のシェアを占めた。このセグメントの成長は、高周波およびハイパワーアプリケーションの進化するニーズに対応するGaN HEMTの卓越した性能特性と能力に起因している。GaN HEMTは、従来のシリコンベースのトランジスタに比べて高い電子移動度と耐圧を提供する。そのため、パワーアンプ、レーダーシステム、衛星通信、5Gインフラなどの用途に理想的な、GaN HEMTの電力処理能力の向上と高効率化を実現します。
ガリウムヒ素(GaAs)セグメントは、GaAs HEMTに関連するユニークな材料特性と多様なアプリケーションにより、2023年から2030年にかけて最も速い成長を記録すると予測されている。GaAsをベース材料とするHEMTは、卓越した電子移動度と高いキャリア速度を示し、高周波や高速の電子デバイスを必要とする用途に適している。さらに、航空宇宙・防衛分野で特に好まれており、高度なレーダーや通信システムの機能において中心的な役割を担っている。
アジア太平洋地域が市場を支配し、2022年には29.0%以上のシェアを占めた。中国や韓国などの国々で5Gネットワークが広範に展開されるなど、高周波通信技術への需要が高まっていることが主な要因である。HEMTは5Gインフラ、高度なレーダーシステム、衛星通信に不可欠な部品であり、この地域の技術進歩に不可欠なものとなっている。さらに、アジア太平洋地域では急速な工業化が進んでおり、その結果、さまざまな分野で高出力・高周波電子部品のニーズが高まっており、市場の成長を後押ししている。
北米は、予測期間中に大きなCAGRで拡大すると予想される。米国とカナダの地域経済全体における5Gネットワークの拡大など、高度な通信技術の展開速度が速いことが、主要な成長促進要因となっています。HEMTは、5Gインフラや高度なレーダーシステムに必要な高周波機能を実現する上で極めて重要な役割を果たしている。さらに、この地域の航空宇宙および防衛産業は、最先端のレーダーおよび電子戦システムに対する要求の高まりに後押しされ、大きな需要促進要因となっています。また、主要な市場参入企業による研究開発イニシアティブへの大規模な投資は、技術革新を促進し、HEMT技術の限界を押し広げています。
主要企業・市場シェア
市場は適度に細分化されており、競争が激しい。複数の主要企業が、提携・協力、買収・合併、新製品開発などの戦略的取り組みを行っている。例えば、2023年10月、半導体企業のIQE plcは、GaNパワー半導体デバイスメーカーのVisIC Technologiesとの戦略的提携を発表した。
この提携は、EV用インバーターに使用されるGaNパワー製品の開発を目的としたものである。同様に、半導体メーカーの Infineon Technologies AG は 2023 年 5 月、CoolGaN 600 V GIT HEMT のポートフォリオを発表した。この立ち上げにより、同社は卓越した性能と品質の完全供給を目指している。
高電子移動度トランジスタの主要企業
Qorvo
インフィニオンテクノロジーズAG
マウザー・エレクトロニクス
MACOM
ウルフスピード
RFHICコーポレーション
STマイクロエレクトロニクス
テキサス・インスツルメンツ
住友電気工業株式会社
アナログ・デバイセズ
本レポートでは、世界、地域、国レベルでの収益成長を予測し、2017年から2030年までの各サブセグメントにおける最新動向の分析を提供しています。この調査において、Grand View Research社は高電子移動度トランジスタ市場レポートをタイプ、最終用途、地域に基づいて区分しています：
タイプ別展望（売上高、10億米ドル、2017年～2030年）
窒化ガリウム（GaN）
炭化ケイ素（SiC）
ガリウムヒ素（GaAs）
その他
最終用途の展望（売上高、10億米ドル、2017年～2030年）
コンシューマー・エレクトロニクス
自動車
産業用
航空宇宙・防衛
その他
地域別展望（売上高, USD Billion, 2017 – 2030）
北米
米国
カナダ
欧州
ドイツ
英国
フランス
アジア太平洋
中国
インド
日本
韓国
オーストラリア
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
中東・アフリカ
サウジアラビア王国（KSA）
アラブ首長国連邦
南アフリカ
【目次】
第1章. 方法論とスコープ
1.1. 市場セグメンテーションとスコープ
1.2. 市場の定義
1.3. 情報調達
1.4. 情報分析
1.4.1. 市場形成とデータの可視化
1.4.2. データの検証・公開
1.5. 調査範囲と前提条件
1.6. データソース一覧
第2章. エグゼクティブ・サマリー
2.1. 市場の展望
2.2. セグメント別の展望
2.3. 競合状況のスナップショット
第3章. 高電子移動度トランジスタ 市場変数、トレンド、スコープ
3.1. 市場の系譜
3.2. 産業バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場促進要因の影響分析
3.3.1.1. 高速通信システムへの需要の高まりとワイヤレス機器の採用拡大
3.3.1.2. 費用対効果の高い電力システムへの需要の高まり
3.3.2. 市場課題インパクト分析
3.3.2.1. HEMT トランジスタ・デバイスの製造と開発における従来の手順の欠如
3.3.3. 市場機会インパクト分析
3.3.3.1. 電気自動車の普及と 5G ネットワークの拡大
3.4. 業界分析ツール
3.4.1. ポーター分析
3.4.2. PESTEL分析
第4章. 高電子移動度トランジスタ市場 タイプ別推定とトレンド分析
4.1. タイプ別動向分析と市場シェア、2022年・2030年
4.2. 高電子移動度トランジスタ市場：タイプ別推定＆予測
4.2.1. 窒化ガリウム（GaN）
4.2.2. 炭化ケイ素（SiC）
4.2.3. ガリウムヒ素（GaAs）
4.2.4. その他
第5章. 高電子移動度トランジスタ市場 最終用途の推定と動向分析
5.1. 最終用途の動向分析と市場シェア、2022年および2030年
5.2. 高電子移動度トランジスタ市場：エンドユーザー別推計＆予測
5.2.1. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.2. 自動車
5.2.3. 産業用
5.2.4. 航空宇宙・防衛
5.2.5. その他
第6章. 高電子移動度トランジスタ市場 地域別推定と動向分析
6.1. 高電子移動度トランジスタ市場： 地域別展望
6.2. 北米
6.2.1. 北米の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.2.2. 米国
6.2.2.1. 米国高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.2.3. カナダ
6.2.3.1. カナダ高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.3. 欧州
6.3.1. 欧州の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017〜2030年 (億米ドル)
6.3.2. 英国
6.3.2.1. イギリスの高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.3.3. ドイツ
6.3.3.1. ドイツの高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.3.4. フランス
6.3.4.1. フランス高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. アジア太平洋地域の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.4.2. 中国
6.4.2.1. 中国高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.4.3. インド
6.4.3.1. インド高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.4.4. 日本
6.4.4.1. 日本の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年〜2030年 (億米ドル)
6.4.5. オーストラリア
6.4.5.1. オーストラリア 高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.4.6. 韓国
6.4.6.1. 韓国高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.5. ラテンアメリカ
6.5.1. 中南米の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.5.2. ブラジル
6.5.2.1. ブラジル高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.5.3. メキシコ
6.5.3.1. メキシコの高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.6. 中東・アフリカ
6.6.1. 中東・アフリカ高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.6.2. サウジアラビア王国（KSA）
6.6.2.1. サウジアラビア王国(KSA)の高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
6.6.3. アラブ首長国連邦
6.6.3.1. UAEの高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年 (億米ドル)
6.6.4. 南アリカ
6.6.4.1. 南アフリカの高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017～2030年 (億米ドル)
第7章. 競争環境
7.1. 企業分類
7.2. 参入企業の概要
7.2.1. Qorvo
7.2.2. インフィニオン・テクノロジーズAG
7.2.3. マウザーエレクトロニクス
7.2.4. マコム
7.2.5. ウルフスピード
7.2.6. RFHIC株式会社
7.2.7. STマイクロエレクトロニクス
7.2.8. テキサス・インスツルメンツ
7.2.9. 住友電気工業
7.2.10. アナログ・デバイセズ
7.3. 業績
7.4. 製品ベンチマーク
7.5. 市場ポジショニング
7.6. 企業市場シェア分析、2022年
7.7. 企業ヒートマップ分析
7.8. 戦略マッピング
7.8.1. 事業拡大
7.8.2. コラボレーション
7.8.3. 合併・買収
7.8.4. 新製品の上市
7.8.5. パートナーシップ
7.8.6. その他
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