市場概要
次世代不揮発性メモリの世界市場規模は、2015年に5億2,480万米ドルと評価され、予測期間中に牽引力を増すと推定されています。この業界は、拡張性が高く、高速で経済的なメモリソリューションに対する需要の増加により、勢いを増すと予想されています。データの増加に伴い、将来の参照用にデータや情報を管理・保存する必要性が高まっています。
業界各社は、業界の効率改善とともに省電力技術の提供を目指しています。従来のメモリ技術の利益率が低下していることが、より高速で効率的な記憶方法を提供する新技術の開発の主な要因になると予想されます。
大容量記憶装置やユニバーサル・ストレージ・デバイスの需要の高まりは、予測期間中の市場成長に有利に働くと予想されます。高い設計コストと極端な環境条件下での安定性が、今後6年間の成長の妨げになると予想。
産業用やフラッシュメモリの置き換えなど、さまざまな用途での需要の増加は、予測期間中の市場成長に新たな機会を提供する可能性があります。フレキシブル・エレクトロニクスやウェアラブル・エレクトロニクスに対する需要の増加も、産業成長に新たな道をもたらす可能性があります。
不揮発性メモリ（NVM）は信頼性が高く、簡単なマイクロコンピュータを使用してプログラムすることができ、ほとんどの最新の電子機器に搭載されています。2015年の次世代不揮発性メモリ市場では、このセグメントが大半を占めています。不揮発性メモリには、相変化メモリ（PCM）、強誘電体RAM（FeRAM）、磁気抵抗RAM（MRAM）、抵抗RAM（RRAM）、フラッシュ、スピントランスファートルクRAM（STT-RAM）などがあります。
2015年の市場規模は2億4,020万米ドルで、MRAM製品セグメントが業界全体を支配しています。ReRAM分野は、予測期間中に最も急成長する製品分野として浮上すると予想されています。メモリタイプは一般的に、プログラミングと消去操作に関する機能特性に基づいて分類されます。
業界製品は、特定の小型デバイスに対する緊急のニーズに対応しています。エンタープライズ・ストレージは、STT-MRAMとPCMメモリの採用が増加しているため、予測期間中、主要なアプリケーション・セグメントになる見込みです。組み込みMCUおよびスマートカードアプリケーションセグメントは、予測期間中に牽引力を増すと予想されます。
北米次世代不揮発性メモリ市場、製品別、2015年（百万米ドル）
不揮発性メモリは、ウェブベースのデータ需要の増加に伴い、エンタープライズ・ストレージ・システムの要件が増加すると推定されるため、入出力性能の向上が期待されます。携帯電話では、NORやフラッシュメモリよりもPCMの採用が増加する見込みです。マイクロコントローラやスマートカードは、フラッシュ高密度チップを内蔵する代わりにPCM、MRAM、STT-MRAMを採用する可能性が高いです。
アジア太平洋地域は、中国、韓国、日本、インドなどの主要な業界参加者の存在により、予測期間中、主要な地域市場になると予想されます。さらに、コンピュータと携帯電話産業の成長も、今後6年間のこの地域の成長を後押しすると予想されます。
さまざまなインターフェイス技術には、DDR、SATA、SAS、PCIe、I2Cなどがあります。DDRインターフェイスは、産業機器、ネットワーク機器、通信機器など、高速でメモリを必要とするアプリケーションで主に使用されています。また、サーバー、ワークステーション、グラフィックカードにも使用されています。
DDRはクロックサイクルの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方でデータをフェッチする能力を持っているため、所定のクロック周波数に対するデータレートが2倍になります。SATAインターフェースは主にコンピュータ・システムやノートパソコンで使用されています。PCIeインターフェイスは、エンタープライズ・サーバー、コンシューマー・パーソナル・コンピュータ（PC）、通信システム、キャッシュおよびバッファリング・アプリケーション用の産業用アプリケーションなど、あらゆるコンピュータ・アプリケーションに適しています。
主要企業・市場シェア
業界の主要ベンダーは、IBM Corp、Adesto Technologies、Everspin Technologies、Crossbar Inc、富士通株式会社、Intel Corporation、Micron Technology、Samsung Electronics Co. Ltd.、株式会社東芝。東芝と韓国のSKハイニックスは、パソコンやスマートフォンなどに広く使われているDRAMの3分の2の消費電力で大容量の記憶容量を実現するMRAMの開発に取り組んでいます。
2022年10月、Everspin TechnologiesはQuickLogic Corporationと契約を締結しました。このパートナーシップは、スピン転移型Torque MRAMをFGPA製品に統合し、耐放射線性と持続性を提供することを目的としています。
2022年6月、Everspin TechnologiesはEmbedded World 2022で新しいSTT-MRAM製品を発表しました。EMxxLX STT-MRAMは、拡張SPI（xSPI）インターフェイスをサポートし、毎秒400メガバイトの優れた読み出し/書き込み帯域幅を備えています。
2022年4月、クロスバーは同社の抵抗RAM（ReRAM）技術の新しいアプリケーションの発売を発表しました。この技術は、リバースエンジニアリングや物理攻撃に対する耐性がこのシステムの重要な要件である、安全なストレージと処理を使用します。
2021年10月、クロスバーは抵抗RAM（ReRAM）技術の新しいアプリケーションの導入を発表しました。この不揮発性メモリ技術は、数回プログラマブル（FTP）および1回プログラマブル（OTP）アプリケーションで使用され、主にプログラム/ブートコードや、チップIDやトリムビットを含む半導体固有のデータに使用されます。
本レポートでは、2014年から2024年までの世界レベルおよび地域レベルでの収益成長を予測し、各サブセグメントにおける業界動向に関する分析を提供しています。この調査レポートは、次世代不揮発性メモリの世界市場を製品、用途、地域別に分類しています：
製品の展望（売上高、百万米ドル、2014年～2024年）
FeRAM
PCM
MRAM
ReRAM
アプリケーションの展望（収益、百万米ドル、2014年～2024年）
携帯電話
キャッシュメモリおよびエンタープライズ・ストレージ
産業および自動車
マスストレージ
組み込みMCUおよびスマートカード
地域別展望（売上高、百万米ドル、2014年～2024年）
北米
欧州
アジア太平洋
その他の地域（RoW）
【目次】
第1章. 方法論とスコープ
1.1. 調査方法
1.2. 調査範囲と前提条件
1.3. データソース一覧
第2章. エグゼクティブ・サマリー
2.1. 業界の概要と重要成功要因（CSFs）
第3章. 次世代不揮発性メモリ業界の展望
3.1. 市場セグメント
3.2. 市場規模と成長展望
3.3. 次世代不揮発性メモリのバリューチェーン分析
3.4. 次世代不揮発性メモリの市場ダイナミクス
3.4.1. 市場ドライバー分析
3.4.2. 市場阻害要因分析
3.5. 優先順位付けされた主な機会
3.6. 産業分析 – ポーターの分析
3.7. 次世代不揮発性メモリ – 企業市場シェア分析（2015年
3.8. 次世代不揮発性メモリ市場のPESTEL分析（2015年
第4章 次世代不揮発性メモリ市場 次世代不揮発性メモリの製品展望
4.1. FeRAM
4.1.1. 世界市場の推定と予測、2014～2024年
4.2. PCM
4.2.1. 世界市場の推定と予測、2014～2024年
4.3. MRAM
4.3.1. 世界市場の推定と予測、2014～2024年
4.4. 再RAM
4.4.1. 世界市場の推定と予測、2014～2024年
第5章. 次世代不揮発性メモリのアプリケーション展望
5.1. 携帯電話
5.1.1. 世界市場の推定と予測、2014～2024年
5.2. キャッシュメモリとエンタープライズ・ストレージ
5.2.1. 世界市場の推定と予測、2014年～2024年
5.3. 産業用および車載用
5.3.1. 世界市場の推定と予測、2014年～2024年
5.4. マスストレージ
5.4.1. 世界市場の推定と予測、2014年～2024年
5.5. 組み込みMCUとスマートカード
5.5.1. 世界市場の推定と予測、2014年～2024年
第6章. 次世代不揮発性メモリの地域別展望
6.1. 北米
6.1.1. 次世代不揮発性メモリ製品別市場、2014年～2024年
6.1.2. 次世代不揮発性メモリ市場：アプリケーション別、2014年～2024年
6.2. 欧州
6.2.1. 次世代不揮発性メモリ市場：製品別、2014年～2024年
6.2.2. 次世代不揮発性メモリ市場：アプリケーション別、2014年～2024年
6.3. アジア太平洋地域
6.3.1. 次世代不揮発性メモリ市場：製品別、2014年～2024年
6.3.2. 次世代不揮発性メモリ市場：アプリケーション別、2014年～2024年
6.4. 台湾
6.4.1. 次世代不揮発性メモリ市場：製品別、2014年～2024年
6.4.2. 次世代不揮発性メモリ市場：アプリケーション別、2014年～2024年
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レポートコード：GVR-1-68038-332-4